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北京晶閘管供應(yīng)是一種開關(guān)元件，顧名思義他的名字里面有一個(gè)閘字也就是門，開關(guān)的意思，他廣泛的應(yīng)用在各種電路，以及電子設(shè)備中。這里介紹一下北京晶閘管供應(yīng)的作用以及原理。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過一個(gè)電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時(shí)他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線。北京晶閘管供應(yīng)又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它主要有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。從晶閘管的電路符號可以看到，...

IGBT逆變模塊廠家的設(shè)備的核心部分逆變器由大功率IGBT半橋組成。由鎖相環(huán)控制工作頻率，自動(dòng)跟蹤爐體固有頻率及其它參數(shù)的變化，保持IGBT工作在零電壓開關(guān)狀態(tài)，損耗小，安全區(qū)大。由PWM電路控制輸出功率，由功率檢測電路組成閉環(huán)控制，本設(shè)備輸出電容與爐體構(gòu)成串聯(lián)形式，而不象一般晶閘管逆變采用并聯(lián)方式。這是由于：串聯(lián)結(jié)構(gòu)更適應(yīng)IGBT的電壓型逆變；爐體引線長短只改變工作頻率而較少影響效率；更適合電容器的內(nèi)置。當(dāng)然，串聯(lián)結(jié)構(gòu)在空爐時(shí)由于Q值很高會(huì)產(chǎn)生很高的電壓，IGBT逆變模塊廠...

北京晶閘管供應(yīng)是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，北京晶閘管供應(yīng)是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。北京晶閘管供應(yīng)被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無線電遙控、...

北京晶閘管供應(yīng)是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上*款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極:陽極，陰極和門極;北京晶閘管供應(yīng)具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。北京晶閘管供應(yīng)按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管...

日立電容廠家供應(yīng)的電容，電容器的簡稱，是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等方面。電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲(chǔ)藏量，記為C，單位是法拉（F）。一般來說，電荷在電場中會(huì)受力而移動(dòng)，當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積儲(chǔ)存，儲(chǔ)存的電荷量則稱為電容。因電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，所以廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、...

西門子快速熔斷器為變頻器及軟起動(dòng)器中的電源類半導(dǎo)體器件提供了*保護(hù)?？紤]到半導(dǎo)體組件電容的低熱效能，它們能夠迅速分?jǐn)?，沒有其它的保護(hù)設(shè)備能夠如此可靠地分?jǐn)喽搪冯娏?。西門子快速熔斷器對熔體電流密度和溫度的限制，比那些用于保護(hù)電纜和導(dǎo)體的傳統(tǒng)的低壓熔斷器的限制要高很多。這就是說熔斷器一直處于預(yù)備狀態(tài)。這就保證了當(dāng)出現(xiàn)故障時(shí)熔斷器可以做出*反應(yīng)。由于其特殊構(gòu)造的限制，3NE半導(dǎo)體保護(hù)型熔斷器還可以用于循環(huán)電路，而不必降低額定電流。由于它們的高循環(huán)電路容量和額定負(fù)載，而提供了zui低...

西門康IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。西門康IGBT模塊的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反...

諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進(jìn)行了探討。各種工業(yè)應(yīng)用中通常會(huì)使用多達(dá)十幾種的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），設(shè)計(jì)IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應(yīng)用提供*的性價(jià)比和適當(dāng)?shù)目煽啃?。圖1為現(xiàn)有的IGBT功率模塊的主要組成部分。商用電動(dòng)車（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)車...

斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有：驅(qū)動(dòng)功率小，通態(tài)壓降低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前已廣泛應(yīng)用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源等電力電...

高壓可控硅軟起動(dòng)器是一種集軟起動(dòng)和多種保護(hù)功能于一體的新型高壓電機(jī)軟起動(dòng)裝置。它不僅僅能在整個(gè)的起動(dòng)過程中平滑地起動(dòng)電機(jī)，而且可以根據(jù)電動(dòng)機(jī)的負(fù)載的特性來調(diào)節(jié)起動(dòng)過程中的參數(shù)，并且它的結(jié)構(gòu)簡單、價(jià)格低廉、工作可靠，因此在各個(gè)生產(chǎn)領(lǐng)域中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。在高壓可控硅軟起動(dòng)裝置中，如果選取額定電流太大的高壓可控硅，則沒有充分利用高壓可控硅的性能，并且裝置成本太高；如果選取額定電流太小的高壓可控硅，則裝置運(yùn)行不可靠，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀高壓可控硅。因此，高壓可控硅額定電流的選擇非常關(guān)...

可控硅勵(lì)磁裝置失控的原因是非常多的，經(jīng)常進(jìn)行維護(hù)是減少問題出現(xiàn)的方法，平時(shí)的時(shí)候一定要對電站進(jìn)行定期的檢查，同時(shí)為了避免設(shè)備失控采取有效地方法，下面就為大家詳細(xì)的介紹一下預(yù)防可控硅元件失控的方法是什么？主要有下面五個(gè)方面。①三相觸發(fā)器輸出脈沖寬度、幅值以及相位正常，要是直流輸出波形三相不對稱的話，可調(diào)整觸發(fā)器脈沖相位來實(shí)現(xiàn)。②要是更換續(xù)流管的話，續(xù)流管的管壓降越好越好，是不超過0.5V。③觸發(fā)極的引線要經(jīng)常的保持完好，避免截?cái)鄬?dǎo)致丟脈沖。④定期的使用示波器查看可控橋的直流輸出...

北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。因此，IGBT的新技術(shù)、新工藝不斷有新的突破；應(yīng)用頻率硬開關(guān)5KHz～40KHz，軟開關(guān)40KHz～150KHz；功率從五千瓦到幾百千瓦的應(yīng)用場合。IGBT器件將不斷開拓新的...

西門子SinamicsV20變頻器新增全新E尺寸模塊，其zui大功率為30kW;E尺寸模塊具有重過載和輕過載的雙重模式，可以實(shí)現(xiàn)小功率變頻器驅(qū)動(dòng)動(dòng)大電機(jī)，有效降低采購成本；E尺寸模塊適用于風(fēng)機(jī)、水泵、壓縮機(jī)、輸送設(shè)備、攪拌機(jī)、石材切割等大功率的應(yīng)用場合。今天，西門子在“2014中國工業(yè)博覽會(huì)”現(xiàn)場發(fā)布了SinamicsV20變頻器全新E尺寸模塊。該模塊的zui大功率可達(dá)30kW，適用于風(fēng)機(jī)、水泵、壓縮機(jī)、輸送設(shè)備、攪拌機(jī)、石材切割等大功率應(yīng)用場合，并具有重過載和輕過載的雙重模...

IGBT的應(yīng)用及設(shè)計(jì)作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽能設(shè)備，以及用于自動(dòng)控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面，IGBT用于家用電器、相機(jī)和手機(jī)。IGBT產(chǎn)品市場現(xiàn)狀分析國內(nèi)市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好。雖然長期來看，IGBT是一個(gè)值得期待的市場，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控...

IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數(shù)特性，目前IGBT主要應(yīng)用在電機(jī)、變換器（逆變器）、變頻器、UPS、EPS電源、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備等工業(yè)控制領(lǐng)域。在上述應(yīng)用領(lǐng)域中IGBT憑借著電壓控制、驅(qū)動(dòng)簡單，開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗小，可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)等優(yōu)點(diǎn)在600V及以上中壓應(yīng)用領(lǐng)域中競爭力逐步顯現(xiàn)，在UPS、開關(guān)電源、電車、交流電機(jī)...

摘要：近幾年來，主要用于電能控制與變換的電力電子學(xué)迅速地?cái)U(kuò)展了它的應(yīng)用領(lǐng)域。市場對于的電能變換系統(tǒng)的要求主要集中在：尺寸小、重量輕以及效率高。因此，就要求功率半導(dǎo)體技術(shù)要在獲得更高性能、更先進(jìn)功能以及更大功率處理能力等方面有所進(jìn)步。系統(tǒng)縮小尺寸的解決方案之一是使用igbt-pim(功率集成模塊)，將倒相電路、動(dòng)態(tài)保護(hù)電路以及整流二極管都集成在同一個(gè)模塊中。近幾年來，zui大額定電流低于100a的pim，由于尺寸小、易裝配、更經(jīng)濟(jì)等優(yōu)點(diǎn)，其市場需求不斷增長。下一代igbt模塊應(yīng)...

2013年過去了2014年來了！在這全國歡騰的時(shí)刻，我公司銷售的各類功率半導(dǎo)體模塊全部優(yōu)惠折扣銷售，歡迎行老客戶前來選購！我公司現(xiàn)有現(xiàn)貨的型號如下英飛凌IGBT系列FF450R12KT4FF450R12KE3FF450R12ME4FF450R12ME4FF450R12ME3FF450R06ME4FF400R12KE3FF400R12KE4FF400R06KE3FF400R17KE3FF400R33KF2CFF300R12KE4FF300R12KE3FF300R12KT4FF3...

型號（1U1200V）技術(shù)指標(biāo)型號（1U1700V）技術(shù)指標(biāo)BSM200GA120DN2200A/1200V/1UBSM200GA170DN2200A/1700V/1UBSM300GA120DN2300A/1200V/1UBSM300GA170DN2300A/1700V/1UBSM400GA120DN2400A/1200V/1UBSM400GA170DLC400A/1700V/1UBSM200GA120DLC200A/1200V/1UBSM200GA170DLC200A/17...