英飛凌IGBT模塊FF450R12KE4，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

產品型號：FF450R12KE4
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-01-19
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詳細介紹

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT模塊FF450R12KE4

英飛凌IGBT模塊FF450R12KE4技術參數

集電極—射極擊穿電壓: 1200 V

集電極—射極飽和電壓: 2.15 V

集電極zui大連續電流 Ic: 450A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封裝 / 箱體: IS5a ( 62 mm )

集電極—發射極zui大電壓 VCEO: 1200 V

柵極/發射極zui大電壓: 20 V

zui大工作溫度: + 125℃

zui小工作溫度: - 40℃

適用于變頻器，風力發電，低頻軟開關

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌Infineon各系列功率模塊：

IGBT模塊；

PIM模塊；

可控硅模塊；

整流橋模塊；

二極管模塊

英飛凌IGBT模塊系列型號：

FF75R12RT4
FF75R12YT3
FF100R12RT4
FF100R12KS4
FF100R12YT3
FF150R12RT4
FF150R12KE3G
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FF150R12KS4
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FF400R12KE3_B2
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