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北京京誠宏泰科技有限公司供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HB-50H

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊CM800HB-50H晶體管
優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

軌道車輛中廣泛采用IGBT模塊構成牽引變流器以及輔助電源系統(tǒng)的恒壓恒頻（CVCF）逆變器。國外的地鐵或輕軌車輛輔助系統(tǒng)都采用方案多樣的IGBT器件。
動車組中，主變流器的開關使用耐壓高達6500V／600A的IGBT器件，輔助變流器采用開關頻率為1950Hz的PWM技術，由3臺雙IGBT和相關反并聯(lián)二極管組成，每臺雙IGBT組成三相中的一相

三菱電機基于高可靠性、高魯棒性及低損耗設計了X系列HVIGBT，在H系列和R系列相同封裝的基礎上，進一步擴展了電流等級。

X系列HVIGBT芯片采用了表面電荷控制(SCC)技術，該技術使HVIGBT模塊具有出色的濕度魯棒性，如圖11.14所示。在傳統(tǒng)結構中，由于芯片終端覆蓋有絕緣層，因此沒有釋放表面電荷的路徑。然而，在采用SCC技術的終端結構中，表面電荷可以通過半絕緣層泄放，表面電荷不會對芯片終端電場產(chǎn)生不利影響。因此，即使有凝露，也能保持優(yōu)良的阻斷電壓特性。北京京誠宏泰科技有限公司

X系列HVIGBT利用了第7代芯片的優(yōu)勢，IGBT采用了CSTBT (III)（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor）芯片技術，續(xù)流二極管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)結構。這兩種芯片技術可以實現(xiàn)通態(tài)損耗、開關損耗的降低和增強的開關性能，同時擴展了魯棒性、低損耗和SOA這三項技術邊界。其飽和壓降和反并聯(lián)二極管的正向壓降與H系列HVIGBT相比北京京誠宏泰科技有限公司

對于動車組，推薦的HVIGBT型號如下：

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HB-50H

對于地鐵或輕軌，推薦的HVIGBT型號如下

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HB-50H

不同于機車與動車組，地鐵或輕軌站與站之間的距離較短，牽引變流器需要不斷的啟停，對HVIGBT模塊來說，結溫和殼溫的溫度波動循環(huán)更多。因此除了高可靠性要求外，還需要HVIGBT具有足夠的壽命，滿足牽引變流器的壽命設計要求。北京京誠宏泰科技有限公司

與前幾代相比，X系列使用高溫焊料進行芯片連接。此外，除了金屬化陶瓷基板的改進，用于將基板連接到底板的焊料也得到了改進。最后，采用改進的凝膠材料進一步提高了功率循環(huán)能力。與前一代相比，新封裝技術使功率循環(huán)能力提高了2.7倍

產(chǎn)品屬性	屬性值	搜索類似
制造商:	Misubsh Elecric
產(chǎn)品種類:	IGBT 模塊
供應商：	北京京誠宏泰科技有限公司
RoHS:	N
產(chǎn)品:	IGBT Silicon Modules
配置:	Triple
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO:	1700 V
集電極—射極飽和電壓:	3.45 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:	800 A
柵極—射極漏泄電流:	0.5 uA
Pd-功率耗散:	11300 W
封裝 / 箱體:	Module
工作溫度:	- 40 C
工作溫度:	+ 125 C
封裝:	Bulk
商標:	Misubih Electc
柵極/發(fā)射極電壓:	20 V
安裝風格:	SMD/SMT
產(chǎn)品類型:	IGBT Modules
系列:	CM800HB-50H
	2
子類別:	IGBTs
技術:	Si

CM1200HC-50H除了IGBT外，該模塊還包括集成式(集成的)門驅動電路，以及檢測和防止過流、過壓、過熱和門驅動電壓不足(門極驅動欠壓)等故障的電路。

HVIPM（High Voltage Inligent Power Module）為了進一步發(fā)揮IGBT芯片的性能，采用的驅動電路，是將自我保護（過電流、控制電源電壓降低、過熱）功能等實現(xiàn)IC化的高性能模塊。為大容量變換器裝置的小型化和節(jié)能化貢獻力量，作為IPM，產(chǎn)品陣容中的zui大額定值達到3.3kV/1.2kA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊CM800HB-50H

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。

專業(yè)銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板

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供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HB-50H
三菱大功率IGBT模塊
2500V高壓IGBT模塊CM800HB-50H
3300V高壓IGBT模塊CM1200HB-66H
HVIPM模塊PM1200HCE330-1

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