斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。
IGBT是近代新發展起來的全控型功率半導體器件，它是由MOSFET（場效應晶體管）與GTR（大功率達林頓晶體管）結合，并由前者擔任驅動，因此具有：驅動功率小，通態壓降低，開關速度快等優點，目前已廣泛應用于變頻調速、開關電源等電力電子領域。
就全控性能而言，IGBT是斬波應用的器件，而且技術極為簡單，幾乎IGBT器件本身就構成了斬波電路。但是要把IGBT斬波形成產品，問題就沒有那么簡單，特別是大功率斬波，如果不面對現實，認真研究、發現和解決存在的問題，必將事與愿違，斬波設備的可靠性將遭受嚴重的破壞。不知道是出于技術認識問題還是商務目的，近來發現，某些企業對IGBT晶體管倍加推崇，而對晶閘管全面否定，顯然，這是不科學的。為了尊重科學和澄清事實，本文就晶閘管和以IGBT為代表的晶體管的性能、特點加以分析和對比，希望能夠并引起討論，還科學以本來面目。
一.IGBT的標稱電流與過流能力
1)IGBT的額定電流
目前，IGBT的額定電流（元件標稱的電流）是以器件的zui大直流電流標稱的，元件實際允許通過的電流受安全工作區的限制而減小，由IGBT安全工作區可見，影響通過電流的因素除了c-e電壓之外，還有工作頻率，頻率越低，導通時間越長，元件發熱越嚴重，導通電流越小。
顯然，為了安全，不可能讓元件工作在zui大電流狀態，必須降低電流使用，因此，IGBT上述的電流標稱，實際上降低了元件的電流定額，形成標稱虛高，而能力不足。當IGBT導通時間較長時（例如100us），UCE電壓將降低標稱值的1/2左右；如果保持UCE不變，元件的zui大集電極電流將降低額定值的2/3。因此，按照晶閘管的電流標稱標準，IGBT的標稱電流實際僅為同等晶閘管的1/3左右。例如，標稱為300A的IGBT只相當于100A的SCR（晶閘管）。又如，直流工作電流為500A的斬波電路，如果選擇晶閘管，當按
式中的Ki為電流裕度系數，取Ki=2，實際可以選擇630A標稱的晶閘管。
如果選擇IGBT，則為：
應該選擇3000A的IGBT元件。
IGBT這種沿襲普通晶體管的電流標稱準則，在功率開關應用中是否合理，十分值得探討。但無論結果如何，IGBT的標稱電流在應用時必須大打折扣是不爭的事實。
2)IGBT的過流能力
半導體元件的過流能力通常用允許的峰值電流IM來衡量，IGBT目前還沒有通用的標準，按德國EUPEC、日本三菱等公司的產品參數，IGBT的峰值電流定為zui大集電極電流（標稱電流）的2倍，有
例如，標稱電流為300A元件的峰值電流為600A；而標稱800A元件的峰值電流為1600A。
對比晶閘管,按國標，峰值電流為
峰值電流高達10倍額定有效值電流，而且，過流時間長達10ms，而IGBT的允許峰值電流時間據有關資料介紹僅為10us，可見IGBT的過流能力太脆弱了。
承受過流的能力強弱是衡量斬波工作可靠與否的關鍵，要使電路不發生過流幾乎是不可能的，負載的變化，工作狀態切換的過度過程，都將引發過流和過壓，而過流保護畢竟是被動和有限的措施，要使器件安全工作，zui終還是要提高器件自身的過流能力。
另外，由于受晶體管制造工藝的限制，IGBT很難制成大電流容量的單管芯，較大電流的器件實際是內部小元件的并聯，例如，標稱電流為600A的IGBT，解剖開是8只7元件并聯，由于元件并聯工藝（焊接）的可靠性較差，使器件較比單一管芯的晶閘管在可靠性方面明顯降低。
二.IGBT的擎住效應
其中的NPN晶體管和體區短路電阻Rbr都是因工藝而寄生形成的，這樣，主PNP晶體管與寄生NPN晶體管形成了寄生的晶閘管，當器件的集電極電流足夠大時，在電阻Rbr上產生正偏電壓將導致寄生晶體管導通，造成寄生晶閘管導通，IGBT的柵極失去控制，器件的電流迅猛上升超過定額值，zui終燒毀器件，這種現象稱為擎住效應。IGBT存在靜態和動態兩種擎住效應，分別由導通時的電流和關斷時的電壓過大而引起，要在實踐中根本避免擎住效應是很困難的，這在某種程度大大影響了IGBT的可靠性。
三.IGBT的高阻放大區
“晶體管是一種放大器”，ABB公司的半導體專家卡羅爾在文獻1中對晶體管給出了中肯評價。晶體管與晶閘管的本質區別在于：晶體管具有放大功能，器件存在導通、截止和放大三個工作區，而放大區的載流子處于非飽和狀態，故放大區的電阻遠高于導通區；晶閘管是晶體管的正反饋組合，器件只存在導通和截止兩個工作區，沒有高阻放大區.
*，功率半導體器件都是作為開關使用的，有用的工作狀態只有導通和截止，放大狀態非但沒用，反而起負面作用。理由是如果電流通過放大區，由于該區的電阻較大，必然引起劇烈的發熱，導致器件燒毀。IGBT從屬于晶體管，同樣存在高阻放大區，器件在作開關應用時，必然經過放大區引起發熱，這是包括IGBT在內的晶體管在開關應用上遜色于晶閘管的原理所在。
四.IGBT的封裝形式與散熱
對于半導體器件，管芯溫度是zui重要的可靠條件，幾乎所有的技術參數值都是在允許溫度（通常為120○——140○C）條件下才成立的，如果溫度超標，器件的性能急劇下降，zui終導致損壞。
半導體器件的封裝形式是為器件安裝和器件散熱服務的。定額200A以上的器件，目前主要封裝形式有模塊式和平板壓接式兩種，螺栓式基本已經淘汰。
模塊式結構多用于將數個器件整合成基本變流電路，例如，整流、逆變模塊，具有體積小，安裝方便，結構簡單等優點，缺點是器件只能單面散熱，而且要求底板既要絕緣又要導熱性能好（實現起來很困難），只適用于中小功率的單元或器件。
平板式結構主要用于單一的大電流器件，是將器件和雙面散熱器緊固在一起，散熱器既作散熱又作電極之用。平板式的優點是散熱性能好，器件工作安全、可靠。缺點是安裝不便，功率單元結構復雜，維護不如模塊式方便.
綜合利弊，當電流大于200A（尤其是500A以上）的半導體器件上平板式結構，已經是業內共識，只是IGBT受管芯制作原理的限制，目前無法制造成大功率芯片，不能采用平板式結構，只好采用模塊式，雖然安裝方便，但散熱性能差不利于可靠性，這是不爭的事實。
五.IGBT的并聯均流問題
目前，國外單管IGBT的zui大容量為2000A/2500V，實際的商品器件容量為1200A/2400V，根據大功率斬波的需要，通常，額定工作電流為400A——1500A，考慮到器件工作安全，必須留有2倍左右的電流裕度，再結合本文前述的IGBTzui大電流標稱問題，單一器件無法滿足要求，必須采用器件并聯。半導體器件并聯存在的均流問題是影響可靠性的關鍵，由于受離散性的限制，并聯器件的參數不可能*一致，于是導致并聯器件的電流不均，此時的1+1小于2，特別是嚴重不均流時，通態電流大的器件將損壞，這是半導體器件并聯中老大難的問題，為此，要提高斬波包括其它電力電子設備的可靠性，應該盡量避免器件并聯，而采用單管大電流器件。
從理論上講，IGBT在大電流狀態具有正溫度系數，可以改善均流性能，但是畢竟有限，加上可控半導體器件的均流還要考慮驅動一致性，否則，既使導通特性一致，也無法實現均流，這樣，就給IGBT并聯造成了極大困難。
六.IGBT的驅動與隔離問題
可控半導體器件都存在控制部分，晶閘管和晶體管也不例外。為了提高可靠性，要求驅動或觸發部分必須和主電路嚴格隔離，兩者不能有電的。
與晶閘管的脈沖沿觸發特性不同（沿驅動），IGBT等晶體管的導通要求柵有持續的電流或電壓（電平驅動），這樣，晶體管就不能象晶閘管那樣，通過采用脈沖變壓器實現隔離，驅動電路必須是有源的，電路較為復雜，而且包含驅動電源在內，要和主電路有高耐壓的隔離。實踐證明，晶體管的驅動隔離是導致系統可靠性降低不可忽略的因素，據不*統計，由于驅動隔離問題而導致故障的幾率約占總故障的15%以上。
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更新時間：2016-01-26 
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