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可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類。從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。可控硅模塊的主要弱點是承...

可關斷晶閘管也屬于PNP四層三端結構，其等效電路與普通晶閘管相同。盡管它與普通晶閘管在結構和觸發導通原埋上相同，但兩者的關斷原理及關斷方式卻截然不同。普通晶閘管導通后欲使其關斷，必須使正向電流低于維持電流IH，或施加反問電壓強迫關斷。而可關斷晶閘管導通后欲使其關斷，只要在控制極上加負向觸發脈沖即可。這種關斷原理上的區別就在于晶閘管導通之后的飽和狀態不同。普通晶閘管在導通之后即處于深飽和狀態，而可關斷晶閘管導通后只處于臨界飽和狀態，所以只要給控制極上加上負向觸發信號即可關斷。可...

西門子快速熔斷器作為一種保護電路安全的裝置在相關領域扮演著至關重要的角色，而且因為有了它，人們在日常生活中遇到電路短路的狀況也能得到及時解決。并且高性能高質量的快速熔斷器如今也收獲了消費者的信賴，在國內的市場里慢慢提升了度。不得不說專業的熔斷器實際應用價值高以及效果好*沒有理由不受到消費者的歡迎。小編要提醒消費者朋友們，如果想要西門子快速熔斷器達到理想的使用效果還得注意以下幾點事項：、注意避免損壞熔體和觸刀，安裝盡量停電進行用戶在安裝西門子快速熔斷器的時候一定要嚴格執行施工工...

西門子快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。西門子快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會在上面點上某種材質的焊點，其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開。西門子快速熔斷器就突出“快”，也就靈敏度高，當電路電流一過載，...

西門子快速熔斷器的--直流熔斷器與交流熔斷器都屬于限流熔斷器的范疇，外形結構十分相似，但開斷電流過程有很大差別：交流電呈正弦波形交替傳導，每周波有一個過零點，此時電量值zui低很容易熄滅電弧；而直流電的任何波形都不存在過零點，在開斷直流短路故障電流時，全靠熔斷片的迅速汽化和石英砂的擴散吸附和冷卻作用強迫熄滅電弧，因此要比開斷交流電弧困難得多。直流西門子快速熔斷器能替代交流快速熔斷器，反之不可以。西門子快速熔斷器的結構與填充型保險絲的結構基本相同，但熔體材料和形狀不同。它是一個...

西門子快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。西門子快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會在上面點上某種材質的焊點，其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開。西門子快速熔斷器就突出“快”，也就靈敏度高，當電路電流一過載，...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用CM200DU-24H三菱IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。CM200DU-24H三菱IGBT模塊發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發展高壓變頻器的...

德國EUPEC晶閘管模塊通過輸入模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號，通過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調節，實現模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。德國EUPEC晶閘管模塊zui大的特點，就是將晶閘管主電路與本公司獨立開發的全數字移相觸發控制電路，巧妙、地集成于一體，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控能力。德國EUPEC晶閘管模塊具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開...

電梯功率模塊是以IGBT為內核的先進混合集成功率部件，由高速低功耗管芯(IGBT)和優化的門極驅動電路，以及快速保護電路構成。IPM內的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅動電路緊靠IGBT，驅動延時小，所以IPM開關速度快，損耗小。IPM內部集成了能連續檢測IGBT電流和溫度的實時檢測電路，當發生嚴重過載甚至直接短路時，以及溫度過熱時，IGBT將被有控制地軟關斷，同時發出故障信號。此外IPM還具有橋臂對管互鎖、驅動電源欠壓保護等功能。盡管IPM價格高一些，但由于電梯功率模塊集...

富士IGBT-PIM模塊zui早將IGBT模塊引入中國市場。經過幾十年的不斷發展，半導體器件已成為國內UPS、變頻器、電鍍電源領域獲得了廣泛的應用，已成為經典使用器件！富士IGBT-PIM模塊是一款性價比非常高的功率模塊，制作精致，價格低廉，已成為國內進口功率模塊的，性能與價格的結合。IPM是InligentPowerModule的縮寫，中文資料一般將其譯為“智能功率模塊”；，IM是PowerIntegratedModule的縮寫，中文意思是功率集成模塊。實際上富士IGBT-...

可關斷晶閘管廠家產品也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。可關斷晶閘管廠家可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管，是大功率半導體半導體的供應商器件的一種，可作為VVVF牽引逆變器逆變器的供應商使用，用于控制供鐵路車輛使用的交流牽引電動機。可關斷晶閘管廠家可關斷晶閘管主要特點是當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管普通晶閘管的...

西門子快速熔斷器的熔體是由純銀制成的，由于純銀的電阻率低、延展性好、化學穩定性好，因此快速熔斷器的熔體可做成薄片，且具有圓孔狹頸結構。發生短路故障時，狹頸處電流密度大，故狹頸處首先熔斷，并被石英砂分隔成許多小段。這樣，由于熔體熔斷而形成的電弧就被石英砂分隔成許多小段，電弧電流較小，分布的空間小，易被消弧劑吸收。又由于石英砂是絕緣的，電弧熄滅后立即形成一個絕緣體，將電路分斷。快速熔斷器是一種西門子快速熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體...

可關斷晶閘管廠家靠門極正信號觸發之后，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管廠家克服了上述缺陷，可關斷晶閘管廠家既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，又具有自關斷能力，因而在使用上比普通晶閘管方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過電力晶體管(GTR)，只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到...

整流二極管模塊是一種先進的功率開關器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優點,以及MOSFET(場效應晶體管)高輸入阻抗、高開關頻率和低驅動功率的優點。而且IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用起來方便,不僅減小了系統的體積以及開發時間，也大大增強了系統的可靠性，適應了當今功率器件的發展方向--模塊化、復合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領域得到了越來越廣泛的應用。近二十年來專業生產各類電力半導體模塊的工藝制造技術，設計能力，工藝和測...

ST英飛凌IGBT驅動功率不足或選擇錯誤可能會直接導致ST英飛凌IGBT驅動和驅動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。ST英飛凌IGBT驅動電路是驅動igbt模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領域中已經得到廣泛的應用，在實際使用中除ST英飛凌IGBT驅動自身外，ST英飛凌IGBT驅動的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。因此，在...

PM300CLA120三菱IPM模塊功率器件的一些特性：PM300CLA120三菱IPM模塊（InligentPowerModule）不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起，。而且還內藏有過電壓，過電流和過熱等故障檢測電路，并可將檢測信號送到CPU。它由高速低工耗的管芯和優化的門級驅動電路以及快速保護電路構成。即使發生負載事故或使用不當，也可以IPM自身不受損壞。PM300CLA120三菱IPM模塊一般使用IGBT作為功率開關元件，并內藏電流傳感器及驅動電路的集成結構，以其高...

由于西門康IGBT模塊供應為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：1、在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸西門康IGBT模塊供應端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；2、在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用...

可控硅模塊分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有*陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓...

北京英飛凌IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。北京英飛凌IGBT模塊適合應用于直流電壓為60...

整流二極管模塊是一種交流電源為直流功率半導體器件。半導體整流二極管的制造可作為鍺或硅材料。整流二極管的主要功能是低頻半波整流電路，如需實現全波整流橋整流橋連接使用。它通常包含一個與陽極和陰極兩端的一個。載體區域的磷孔，氮的面積是電子的載體。NP加地區相對面積的正當電壓大電流、低電壓（通常為0.7V），稱為正向導通狀態。如果相反的是反向電壓，小電流（反向漏電流），稱為反向阻塞狀態。整流二極管具有明顯的單向導電性。整流二極管模塊是利用單向導電特性的光合，將交流變為直流紋波。整流二...